IPD70P04P4-09

更新时间： 2024-11-17 11:08:47

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OptiMOS-P2 Power-Transistor

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IPD70P04P4-09 数据手册

IPD70P04P4-09

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

R _DS(on)

I _D

-40

8.9

-73

mΩ

Features

PG-TO252-3-313

• P-channel - Normal Level - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPD70P04P4-09

PG-TO252-3-313 4P0409

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

_GS=-10V

I _D

Continuous drain current

-73

-52

T _C=100°C,

_GS=-10V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

-292

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=-36A

-73

±20

V _GS

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2010-05-26

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IPD70P04P4-09 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB70P04P4-09	INFINEON	类似代替	OptiMOS-P2 Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPD70P04P4L-08	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
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