是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 2.28 |
雪崩能效等级(Eas): | 26 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 700 V |
最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8.3 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD70R1K4P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 | |
IPD70R360P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 | |
IPD70R600CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IPD70R600P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 | |
IPD70R900P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 | |
IPD70R950CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPD75N04S4-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD78CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD78CN10NGBUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |