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IPD70R900P7S

更新时间： 2024-12-01 14:55:47
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英飞凌 - INFINEON 手机
页数 文件大小 规格书
13页 1026K
描述
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电

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IPD70R900P7S 数据手册

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IPD70R900P7S  
MOSFET  
DPAK  
700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
tab  
TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost  
sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,  
lighting,ꢀTV,ꢀetc.  
TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction  
MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof  
theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency  
standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing  
towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.  
2
1
3
Drain  
Pin 2, Tab  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior  
•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode  
Gate  
Pin 1  
•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(Eoss  
•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard  
)
Source  
Pin 3  
Benefits  
•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology  
•ꢀLowerꢀtemperature  
•ꢀHighꢀESDꢀruggedness  
•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies  
•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors  
Potentialꢀapplications  
RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,  
Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj=25°C  
RDS(on),max  
Value  
700  
0.9  
Unit  
V
Ω
Qg,typ  
6.8  
nC  
A
ID,pulse  
12.8  
0.9  
Eoss @ 400V  
V(GS)th,typ  
µJ  
V
3
ESD class (HBM)  
1C  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPD70R900P7S  
PG-TO 252-3  
70S900P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2019-08-09  
1234567...13

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与IPD70R900P7S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD70R950CEAUMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD75N04S4-06 INFINEON

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 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD78CN10NG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD78CN10NGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD78CN10NGBUMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD800N06NG INFINEON

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 		OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s
IPD800N06NGBTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPD80CN10NG INFINEON

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 		OptiMOS2 Power-Transistor
IPD80N04S3-06 INFINEON

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 		OptiMOS-T Power-Transistor

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