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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 24 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 73 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0089 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 292 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD70P04P4L-08 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPD70P04P4L08ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IPD70P04P4L08ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD70R1K4CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD70R1K4P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 |
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| IPD70R360P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 |
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| IPD70R600CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD70R600P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 |
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| IPD70R900P7S | INFINEON |
获取价格 |
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS? P7?超结 |
|
| IPD70R950CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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