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IPD60R180P7

更新时间： 2024-02-23 09:10:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1152K
描述
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS? P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平台具有同类中较为出色的R?onxA 和固有低栅极电荷 (Q?G)，确保高效率。

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IPD60R180P7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

IPD60R180P7

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

10²

1 µs

10 µs

10¹

10⁰

100 µs

1 ms

10 ms

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

100

125

150

10⁰

10¹

10²

10³

T_Cꢀ[°C]

V_DSꢀ[V]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10²

10¹

10⁰

1 µs

10 µs

100 µs

10⁰

0.5

1 ms

10 ms

0.2

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

0.1

0.05

10^-1

0.02

0.01

single pulse

10^-2

10⁰

10¹

10²

10³

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJCꢀ=f(t_P);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.5,ꢀꢀ2022-01-25

1...4 5 678 9 10...14

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