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IPD60R1K5CE

更新时间： 2024-01-19 02:41:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1554K
描述
600V CoolMOSÂª CE Power Transistor

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IPD60R1K5CE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.88
雪崩能效等级（Eas）：	26 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD60R1K5CE 数据手册

IPD60R1K5CE,ꢀIPU60R1K5CE

MOSFET

DPAK

IPAK

600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Source

Pin 3

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Applications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_d.

Value

650

1500

Unit

mΩ

Q_g.typ

9.4

I_D,pulse

E_oss@400V

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPD60R1K5CE

Package

Marking

RelatedꢀLinks

see Appendix A

PG-TO 252

PG-TO 251

60S1K5CE

IPU60R1K5CE

Final Data Sheet

2016-03-31

12 3 4 5 6 7...14

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与IPD60R1K5CE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPD60R1K5CE_16	INFINEON	600V CoolMOSÂª CE Power Transistor	获取价格
IPD60R1K5CEAUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格
IPD60R1K5PFD7S	INFINEON	The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R1K5PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of	获取价格
IPD60R210CFD7	INFINEON	600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj	获取价格
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