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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | 雪崩能效等级（Eas）： | 11 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏源导通电阻： | 2.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R360CFD7 | INFINEON |
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The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest h |
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| IPD60R360P7 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD60R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R360P7S | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD60R360P7S | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R360PFD7S | INFINEON |
获取价格 |
The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R360PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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| IPD60R380C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPD60R380C6AT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPD60R380C6BT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPD60R380P6 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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