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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | 雪崩能效等级（Eas）： | 185 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 74 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R450E6AT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPD60R450E6BT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPD60R460CE | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD60R520C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPD60R520C6BTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD60R520CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPD60R520CPAT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IPD60R520CPBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD60R600C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPD60R600C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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