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IPD60R600P6

更新时间： 2023-06-19 14:26:12

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
19页	2855K
描述
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

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IPD60R600P6 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀP6

600VꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀPowerꢀTransistor

IPx60R600P6

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.2

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD60R600CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD60R600P7	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPD60R600P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R600P7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD60R600P7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R600P7SAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD60R600PFD7S	INFINEON	获取价格	The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R600PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of
IPD60R650CE	INFINEON	获取价格
IPD60R750E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPD60R750E6AT	INFINEON	获取价格	暂无描述
IPD60R750E6BTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide S