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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15.7 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R800CE | INFINEON |
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| IPD60R800CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD60R950C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPD60R950C6AT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD60R950C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD60R950C6BT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD640N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPD640N06LG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s |
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| IPD64CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD650P06NM | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag |
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