Datasheet > IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1

更新时间： 2024-09-25 21:09:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	1458K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD60R800CEAUMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	1.72
雪崩能效等级（Eas）：	72 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.7 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD60R800CEAUMA1 数据手册

IPD60R800CE,ꢀIPA60R800CE

MOSFET

DPAK

PG-TOꢀ220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Source

Pin 3

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Applications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀNote1:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀon

theꢀgateꢀorꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

ꢀꢀꢀꢀNote2:ꢀ*6R800CEꢀisꢀFullꢀPAKꢀmarkingꢀonly

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Id_.

Value

650

800

8.4

Unit

mΩ

Q_g.typ

17.2

15.7

1.6

I_D,pulse

E_oss@400V

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPD60R800CE

Package

Marking

60S800CE / 6R800CE*

RelatedꢀLinks

PG-TO 252

see Appendix A

IPA60R800CE

PG-TO 220 FullPAK

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2016-08-08

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与IPD60R800CEAUMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD60R950C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPD60R950C6AT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD60R950C6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD60R950C6BT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPD640N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD640N06LG_08	INFINEON	获取价格	OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s
IPD64CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD650P06NM	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag
IPD650P06NMATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IPD65R190C7	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor

与IPD60R800CEAUMA1相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1 技术参数

IPD60R800CEAUMA1 数据手册

与IPD60R800CEAUMA1相关器件

与IPD60R800CEAUMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1 技术参数

IPD60R800CEAUMA1 数据手册

与IPD60R800CEAUMA1相关器件

与IPD60R800CEAUMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？