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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.64 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 46 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R750E6 | INFINEON |
类似代替  |
600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPD60R950C6 | INFINEON |
类似代替 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R950C6BT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPD640N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPD640N06LG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s |
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| IPD64CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD650P06NM | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK packag |
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| IPD650P06NMATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IPD65R190C7 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R1K0CEAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| IPD65R1K4C6 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进 |
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| IPD65R225C7 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠C7 Power Transistor |
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