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IPD60R520C6BTMA1

更新时间： 2024-11-23 20:06:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	1120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD60R520C6BTMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	雪崩能效等级（Eas）：	153 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	8.1 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC6ꢀ600V

600VꢀCoolMOS™ꢀC6ꢀPowerꢀTransistor

IPx60R520C6

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.2

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD60R520CPBTMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IPD60R520CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
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IPD60R600C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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IPD60R600CM8	INFINEON	获取价格	The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET fam
IPD60R600CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
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