5秒后页面跳转
IPD60R600E6 PDF预览

IPD60R600E6

更新时间: 2024-02-23 11:15:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
17页 1344K
描述
600V CoolMOS E6 Power Transistor

IPD60R600E6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
Base Number Matches:1

IPD60R600E6 数据手册

 浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPD60R600E6的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS E6  
600V CoolMOSE6 Power Transistor  
IPx60R600E6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2010-04-12  
Final  
Industrial & Multimarket  

与IPD60R600E6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD60R600E6BT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IPD60R600P6 INFINEON

获取价格

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于在
IPD60R600P7 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor
IPD60R600P7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R600P7ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD60R600P7S INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD60R600PFD7S INFINEON

获取价格

The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R600PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of
IPD60R650CE INFINEON

获取价格

IPD60R750E6 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS E6 Power Transistor