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IPD60R385CPAT

更新时间： 2024-11-23 17:48:59
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 762K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IPD60R385CPAT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：227 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.385 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD60R385CPAT 数据手册

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2.3  
D5;9 ꢄ  
2013-07-31  
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与IPD60R385CPAT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD60R3K3C6 INFINEON

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 		600V CoolMOS C6 Power Transistor
IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPD60R3K4CE INFINEON

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