Datasheet > IPD60R360P7S

IPD60R360P7S

更新时间： 2023-12-06 20:03:02

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1017K
描述
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS? P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS? 平台具有同类中较为出色的R?onxA 和固有低栅极电荷 (Q?G)，确保高效率。

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD60R360P7S 数据手册

IPD60R360P7S

MOSFET

DPAK

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt

combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease

ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody

diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.

Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake

switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch

cooler.

tab

Features

Drain

Pin 2

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding

ꢀꢁcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts

•ꢀBetterꢀR_DS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa

ꢀꢁlowꢀR_DS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction

ꢀꢁlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD

ꢀꢁprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom

andꢀUPS.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

360

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

1.6

µJ

900

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPD60R360P7S

PG-TO252-3

60S360P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2021-10-12

12 3 4 5 6 7...14

下载PDF

与IPD60R360P7S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPD60R360PFD7S	INFINEON	The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R360PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of	获取价格
IPD60R380C6	INFINEON	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	获取价格
IPD60R380C6AT	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格
IPD60R380C6BT	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格
IPD60R380P6	INFINEON	英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在	获取价格
IPD60R385CP	INFINEON	CoolMOS Power Transistor	获取价格

与IPD60R360P7S相关文章

TLP250光耦合器：资料手册参数分析
2024-05-09

4
DA14580 低功耗蓝牙系统级芯片(SoC)：资料手册参数分析
2024-05-09

6
INA226 高精度电流和功率监控器：资料手册参数分析
2024-05-09

5
SI2302 N沟道MOSFET：资料手册参数分析
2024-05-09

9

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD60R360P7S

IPD60R360P7S 数据手册

与IPD60R360P7S相关器件

与IPD60R360P7S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD60R360P7S

IPD60R360P7S 数据手册

与IPD60R360P7S相关器件

与IPD60R360P7S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？