是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 1.7 |
雪崩能效等级(Eas): | 56 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 53 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IPD60R180P7S | INFINEON | 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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IPD60R1K0CE | INFINEON |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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IPD60R1K0PFD7S | INFINEON | The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R1K0PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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IPD60R1K4C6 | INFINEON | 600V CoolMOS C6 Power Transistor |
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