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IPD60R1K5CEAUMA1

更新时间： 2024-09-20 21:20:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1493K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2

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IPD60R1K5CEAUMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	1.71
雪崩能效等级（Eas）：	26 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	49 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD60R1K5CEAUMA1 数据手册

IPD60R1K5CE,ꢀIPU60R1K5CE

MOSFET

DPAK

IPAK

600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Source

Pin 3

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Applications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_d.

Value

650

1500

Unit

mΩ

Q_g.typ

9.4

I_D,pulse

E_oss@400V

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPD60R1K5CE

Package

Marking

RelatedꢀLinks

see Appendix A

PG-TO 252

PG-TO 251

60S1K5CE

IPU60R1K5CE

Final Data Sheet

2016-03-31

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD60R1K5PFD7S	INFINEON	获取价格	The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R1K5PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of
IPD60R210CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPD60R210PFD7S	INFINEON	获取价格	The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R210PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of
IPD60R280CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPD60R280P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R280P7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R280P7SAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD60R280PFD7S	INFINEON	获取价格	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (
IPD60R2K0C6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS C6 Power Transistor
IPD60R2K0C6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi

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