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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 11 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R2K0C6ATMA1 | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R2K0PFD7S | INFINEON |
获取价格 |
The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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| IPD60R2K1CE | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOSª CE Power Transistor |
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| IPD60R2K1CE_16 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOSª CE Power Transistor |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD60R360CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest h |
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| IPD60R360P7 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD60R360P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R360P7S | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD60R360P7S | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R360PFD7S | INFINEON |
获取价格 |
The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R360PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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