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IPD60R210CFD7

更新时间： 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅高压二极管栅极
页数 文件大小 规格书
14页 996K
描述
600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS? 7 系列。 该 CoolMOS? CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。

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IPD60R210CFD7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IPD60R210CFD7 数据手册

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IPD60R210CFD7  
MOSFET  
DPAK  
600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀDevice  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe  
successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform  
tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge  
(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Qg),ꢀbest-in-class  
reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™  
CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s  
fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof  
aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation  
robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in  
process.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiencyꢀand  
reliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity  
solutions.ꢀAltogether,ꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀmakesꢀresonantꢀswitching  
topologiesꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀreliable,ꢀlighterꢀandꢀcooler.  
tab  
2
1
3
Drain  
Pin 2, Tab  
*1  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
•ꢀLowꢀgateꢀcharge  
•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdiF/dtꢀruggedness  
•ꢀLowestꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies  
•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
Potentialꢀapplications  
SuiteableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
210  
23  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
42  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
2.6  
µJ  
1300  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPD60R210CFD7  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO252-3  
60R210F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-05-26  
1234567...14

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与IPD60R210CFD7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD60R210PFD7S INFINEON

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 		The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R210PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of
IPD60R280CFD7 INFINEON

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 		600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPD60R280P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R280P7S INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO
IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD60R280PFD7S INFINEON

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 		The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (
IPD60R2K0C6 INFINEON

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 		600V CoolMOS C6 Power Transistor
IPD60R2K0C6ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IPD60R2K0C6BTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semi
IPD60R2K0PFD7S INFINEON

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 		The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of

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