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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 1.22 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 26 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD60R1K5CE | INFINEON |
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600V CoolMOSª CE Power Transistor |
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| IPD60R1K5CE_16 | INFINEON |
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600V CoolMOSª CE Power Transistor |
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| IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPD60R1K5PFD7S | INFINEON |
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The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R1K5PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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| IPD60R210CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPD60R210PFD7S | INFINEON |
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The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R210PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
|
| IPD60R280CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPD60R280P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R280P7S | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R280P7SAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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