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IPD038N06N3G

更新时间： 2024-01-24 20:35:49
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 308K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPD038N06N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD038N06N3G 数据手册

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IPD038N06N3 G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
3.8  
90  
V
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, normal level  
previous engineering  
sample code:  
IPD04xN06N  
• for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS  
• Avalanche rated  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD038N06N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3  
038N06N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
90  
90  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
360  
90  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=90 A, R GS=25 Ω  
165  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev.1.02  
page 1  
2010-08-12  
1234567...9

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IPD038N06N3G 替代型号

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