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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 2.26 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 165 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD038N04NGBTMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD038N06NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f |
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| IPD03N03LA | INFINEON |
获取价格 |
Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applicat |
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| IPD03N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD03N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPD03N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPD040N03L G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| IPD040N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Excellent |
|
| IPD040N03LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPD040N03LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD040N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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