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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD15NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET |
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| SPA06N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD040N03L G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| IPD040N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPD040N03LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPD040N03LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD040N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V |
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| IPD042P03L3 G | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| IPD042P03L3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM P3 Power-Transistor |
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| IPD042P03L3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IPD042P03L3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IPD046N08N5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 80V 英飞凌新一代功率MOSFET，它针对通信和服务器电源中的同步 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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