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IMX9

更新时间： 2024-09-15 23:15:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
General purpose transistor (isolated dual transistors)

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IMX9 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：560JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IMX9 数据手册

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IMX9  
Transistors  
General purpose transistor  
(isolated dual transistors)  
IMX9  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zFeatures  
1) Two 2SD2114K chips in a SMT package.  
2) Mounting possible with SMT3 automatic mounting  
machine.  
2.9±0.2  
1.9±0.2  
+0.2  
−0.1  
1.1  
0.8±0.1  
0.95 0.95  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
(5)  
(4)  
(6)  
(1)  
0~0.1  
(2)  
(3)  
+0.1  
−0.06  
+0.1  
−0.05  
0.15  
0.3  
All terminals have same dimensions  
zStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol: X9  
The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2.  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
25  
Unit  
V
(4) (5) (6)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
20  
V
Tr1  
Tr2  
12  
V
I
C
500  
mA  
mW  
°C  
°C  
(3) (2) (1)  
Power dissipation  
Pd  
Tj  
300(TOTAL)  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
200mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
25  
20  
12  
−
−
−
−
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
−
−
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=20V  
EB=10V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
0.5  
0.5  
0.4  
2700  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
−
0.18  
−
I
C
/I  
CE=3V, I  
CE=10V, I  
CB=10V, I  
=1mA, V  
B
=500mA/20mA  
=10mA  
=−50mA, f=100MHz  
h
560  
−
−
V
V
V
C
f
T
350  
8
MHz  
pF  
Ω
E
Cob  
Ron  
−
−
E
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Output On-resistance  
−
0.8  
−
I
B
i
=100mVrms, f=1kHz  
1234

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IMX9 替代型号

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