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IKW40N120T2FKSA1

更新时间： 2024-01-29 00:14:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	536K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IKW40N120T2FKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.12	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	600 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IKW40N120T2FKSA1 数据手册

IKW40N120T2

TrenchStop^®2^ndGeneration Series

Low Loss DuoPack : IGBT in 2^ndgeneration TrenchStop^®

with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode



Best in class TO247

Short circuit withstand time – 10s

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply



TrenchStop^®2^ndgeneration for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in

V_CE(sat)

PG-TO-247-3



Low EMI

Low Gate Charge

Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HEDiode

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking Code

Package

IKW40N120T2

Maximum Ratings

Parameter

1200V 40A

1.75V

K40T1202

PG-TO-247-3

175C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current (T_j=150°C)

T_C= 25C

V_CE

I_C

1200

75²

T_C= 110C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

V_CE 1200V, T_j 175C

DC Diode forward current (T_j=150°C)

T_C= 25C

I_{Cpul s}

160

I_F

75²

T_C= 110C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{F pul s}

V_GE

t_SC

160

20

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time³⁾

V_GE= 15V, V_CC 600V, T_j,start 175C

Power dissipation

s

P_tot

480

T_C= 25C

Operating junction temperature

Storage temperature

T_j

-40...+175

-55...+150

260

C

T_stg

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Wavesoldering only, temperature on leads only

¹J-STD-020 and JESD-022

²Limited by bond wire

³⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.4 23.09.2014

IFAG IPC TD VLS

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKW40N120T2XK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, P
IKW40N60DTP	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
IKW40N60DTPXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IKW40N60H3	INFINEON	获取价格	IGBT HighSpeed 3
IKW40N60H3FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLAS
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