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IKW40N60H3

更新时间： 2023-09-03 20:30:55

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IKW40N60H3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.6
最大集电极电流 (IC)：	80 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	306 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	249 ns	标称接通时间 (ton)：	48 ns
Base Number Matches：	1

IGBT

HighꢀspeedꢀDuoPackꢀIGBTꢀinꢀTrenchꢀandꢀFieldstopꢀtechnologyꢀwithꢀsoft,ꢀfastꢀrecovery

anti-parallelꢀdiode

IKW40N60H3

600VꢀDuoPackꢀIGBTꢀandꢀDiode

Highꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀthirdꢀgeneration

Dataꢀsheet

IndustrialꢀPowerꢀControl

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IKW40N60H3FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLAS
IKW40N65ES5	INFINEON	获取价格	high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode
IKW40N65ES5_15	INFINEON	获取价格	high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode
IKW40N65ET7	INFINEON	获取价格	TRENCHSTOP™ IGBT7
IKW40N65F5	INFINEON	获取价格	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
IKW40N65F5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IKW40N65H5	INFINEON	获取价格	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
IKW40N65H5AXKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
IKW40N65RH5	INFINEON	获取价格	IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D
IKW40N65WR5	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode