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IKW40N120T2

更新时间： 2024-01-28 14:58:19

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IKW40N120T2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	Base Number Matches：	1

IKW40N120T2 数据手册

IKW40N120T2

TrenchStop^®2^ndGeneration Series

Low Loss DuoPack : IGBT in 2^ndgeneration TrenchStop^®

with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

•

Best in class TO247

Short circuit withstand time – 10µs

Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

•

TrenchStop^®2^ndgeneration for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in

V_CE(sat)

PG-TO-247-3-21

•

Low EMI

Low Gate Charge

Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking Code

Package

IKW40N120T2

Maximum Ratings

Parameter

1200V 40A

1.75V

K40T1202

PG-TO-247-3-21

175°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current (T_j=150°C)

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

75²

T_C= 110°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

160

_CE≤ 1200V, T_j≤ 175°C

DC Diode forward current (T_j=150°C)

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_F

75²

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time³⁾

I_{F pul s}

V_GE

t_SC

160

±20

µs

_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j,start≤ 175°C

Power dissipation

P_tot

480

T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Wavesoldering only, temperature on leads only

T_j

T_stg

-40...+175

-55...+150

260

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Limited by bond wire

³⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.0 Oct 06

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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