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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> HN1C26FS
HN1C26FS PDF预览

HN1C26FS

更新时间： 2024-10-30 11:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 152K
描述
Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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HN1C26FS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

HN1C26FS 数据手册

 浏览型号HN1C26FS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HN1C26FS的Datasheet PDF文件第3页 
HN1C26FS  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
HN1C26FS  
Frequency General-Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin)  
package.  
1.0±0.05  
0.8±0.05  
•
•
•
•
High voltage : V  
= 50 V  
CEO  
0.1±0.05  
0.1±0.05  
High current : I = 100 mA (max)  
C
High h  
: h = 120 to 400  
FE  
FE  
1
6
5
Excellent h linearity  
FE  
: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE  
C
FE  
C
2
4
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
3
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
60  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
50  
5
100  
V
1.EMITTER1  
2.BASE1  
3.COLLECTOR2  
4.EMITTER2  
5.BASE2  
(E1)  
(B1)  
(C2)  
(E2)  
(B2)  
(C1)  
I
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
30  
B
fS6  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P (Note 1)  
C
50  
6.COLLECTOR1  
T
j
150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-1F1D  
Weight: 0.001 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector cutoff current  
Symbol  
Test Condition  
= 60 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
400  
0.25  
⎯
μA  
μA  
⎯
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter cutoff current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
(Note)  
FE  
= 6 V, I = 2 mA  
120  
―
⎯
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= 100 mA, I = 10 mA  
0.1  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
60  
⎯
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
0.95  
⎯
ob  
E
Note: h Classification  
Y (F): 120 to 240, GR (H): 200 to 400  
FE  
(
) Marking symbol  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
Type Name  
Rank  
6
5
4
h
FE  
Q2  
7F  
Q1  
1
3
2
1
2008-12-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN1D01F TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRAL HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
HN1D01F(TE85L,F) TOSHIBA

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 		COMMON ANODE DIODE ARRAY,TSOP
HN1D01F_07 TOSHIBA

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HN1D01FE TOSHIBA

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HN1D01FE(TPL3) TOSHIBA

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HN1D01FE(TPL3,F) TOSHIBA

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 		COMMON ANODE DIODE ARRAY,TSOP
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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
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获取价格

 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon

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