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HN1D03F

更新时间： 2024-09-12 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA 二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 160K
描述
Ultra High Speed Switching Application

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HN1D03F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SC-74, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.37
Is Samacsys：N配置：COMPLEX
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.3 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：80 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HN1D03F 数据手册

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HN1D03F  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
HN1D03F  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
l Built in anode common and cathode common.  
Unit 1  
l Low forward voltage  
Q1, Q2: VF (3) = 0.90V (typ.)  
l Fast reverse recovery time Q1, Q2: trr = 1.6ns (typ.)  
l Small total capacitance  
Q1, Q2: CT = 0.9pF (typ.)  
Unit 2  
l Low forward voltage  
Q3, Q4: VF (3) = 0.92V (typ.)  
l Fast reverse recovery time Q3, Q4: trr = 1.6ns (typ.)  
l Small total capacitance  
Q3, Q4: CT = 2.2pF (typ.)  
Unit 1, Unit 2 Common Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
JEDEC  
―
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
EIAJ  
SC-74  
V
R
TOSHIBA  
Weight: 0.015g  
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300 (*)  
100 (*)  
2 (*)  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
300  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
T
−55~125  
stg  
(*) This is the Maximum Ratings of single diode (Q1 or Q2 or Q3 or Q4).  
In the case of using Unit 1 and Unit 2 independently or simultaneously, the Maximum Ratings per diode is  
75% of the single diode one.  
Marking  
Pin Assignment (Top View)  
1
2001-06-07  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN1D03F(TE85L,F) TOSHIBA

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 		DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
HN1D03FU TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
HN1D03FU(TE85L,F) TOSHIBA

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