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| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏源导通电阻： | 40 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1K02FU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| HN1K02FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
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| HN1K03FU | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| HN1K03FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
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| HN1K04FU | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
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| HN1K04FU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
HN1K04FU(TE85L) |
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| HN1K04FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
HN1K04FU(TE85L,F) |
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| HN1K04FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
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| HN1K05FU | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
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| HN1K05FU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
HN1K05FU(TE85L) |
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