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HN1V01H

更新时间: 2024-11-05 22:29:31
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东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管测试光电二极管无线局域网
页数 文件大小 规格书
1页 90K
描述
EPITAXIAL PLANAR TYPE (AM RADIO BAND TUNING APPLICATIONS)

HN1V01H 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:FM8, 1-5J1D, 8 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.15
Is Samacsys:N其他特性:2.5% MATCHED SETS ARE AVAILABLE
最小击穿电压:16 V配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比:16.2二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:4端子数量:8
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
最小质量因数:200最大反向电流:0.02 µA
反向测试电压:16 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HN1V01H 数据手册

  

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