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HN1V01H-A

更新时间: 2024-11-06 21:22:19
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
DIODE SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

HN1V01H-A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:FM8, 1-5J1D, 8 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.15
其他特性:2.5% MATCHED SETS ARE AVAILABLE配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比:16.2二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:4端子数量:8
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
最小质量因数:200表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HN1V01H-A 数据手册

  

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