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HN1V02H-A

更新时间: 2024-09-16 20:43:11
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东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
DIODE 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, FM8, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance Diode

HN1V02H-A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.18其他特性:CAPACITANCE MATCHED TO 2.5% FOR TWO DEVICES
最小击穿电压:16 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差:8.72%最小二极管电容比:16.2
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
最小质量因数:200最大重复峰值反向电压:16 V
最大反向电流:0.02 µA反向测试电压:16 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

HN1V02H-A 数据手册

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