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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | CAPACITANCE MATCHED TO 2.5% FOR TWO DEVICES |
| 最小击穿电压： | 16 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管电容容差： | 10.77% | 最小二极管电容比： | 16.2 |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 200 | 最大重复峰值反向电压： | 16 V |
| 最大反向电流： | 2e-8 µA | 反向测试电压： | 16 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1V02H_07 | TOSHIBA |
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Silicon Epitaxial Planar Type AM Radio Band Tuning Applications |
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| HN1V02HA | TOSHIBA |
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DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance Diode |
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| HN1V02H-A | TOSHIBA |
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DIODE 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, FM8, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance |
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| HN1V02HB | TOSHIBA |
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DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance Diode |
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| HN1V02H-B | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance Diode |
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| HN2010 | MURATA |
获取价格 |
2.4 GHz Stand-Alone Modems |
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| HN20100000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HN20100200J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HN20102000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| HN20102200J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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