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HN1V02H-B

更新时间: 2024-09-17 07:25:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-5J1B, 8 PIN, Variable Capacitance Diode

HN1V02H-B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FM8, 1-5J1B, 8 PIN针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
其他特性:CAPACITANCE MATCHED TO 2.5% FOR TWO DEVICES最小击穿电压:16 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管电容容差:8.76%
最小二极管电容比:16.2二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最小质量因数:200最大反向电流:0.02 µA
反向测试电压:16 V表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL

HN1V02H-B 数据手册

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