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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 2-2J1C, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 50 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1L03FU(TE85L) | TOSHIBA |
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HN1L03FU(TE85L) |
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| HN1L03FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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HN1L03FU(TE85L,F) |
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| HN1L03FU_07 | TOSHIBA |
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High Speed Switching Applications |
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| HN1V01H | TOSHIBA |
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EPITAXIAL PLANAR TYPE (AM RADIO BAND TUNING APPLICATIONS) |
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| HN1V01HA | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
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| HN1V01H-A | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
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| HN1V01HB | ETC |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY|SO |
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| HN1V01H-B | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode |
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| HN1V02H | TOSHIBA |
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EPITAXIAL PLANAR TYPE (AM RADIO BAND TUNING APPLICATIONS) |
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| HN1V02H_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type AM Radio Band Tuning Applications |
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