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HN1K06FU

更新时间： 2024-09-14 22:29:31
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 130K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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HN1K06FU 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：2-2J1C, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：LOW THRESHOLD
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HN1K06FU 数据手册

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HN1K06FU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
HN1K06FU  
High Speed Switching Applications  
Analog Switch Applications  
Unit: mm  
·
·
High input impedance and extremely low drive current.  
is low and it is possible to drive directly at low-voltage CMOS.  
V
th  
: V = 0.5 to 1.5 V  
Switching speed is fast.  
Suitable for high-density mounting because of a compact package  
th  
·
·
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
10  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
Drain current  
V
GSS  
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
D
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature range  
P
(Note)  
200  
D
T
150  
ch  
JEDEC  
―
―
T
-55 to 150  
stg  
JEITA  
Note: TOTAL rating  
TOSHIBA  
Weight: 6.8 mg  
2-2J1C  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)  
Characteristic  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
= 10 V, V = 0 V  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
¾
20  
¾
0.5  
35  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
1
¾
1
mA  
V
GSS  
GS  
DS  
Drain-source breakdown voltage  
Drain cut-off current  
V
I
= 100 mA, V  
= 0 V  
= 0 V  
(BR) DSS  
D
GS  
GS  
I
V
V
V
= 20 V, V  
¾
mA  
V
DSS  
DS  
DS  
DS  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
Drain-source ON resistance  
Input capacitance  
V
= 3 V, I = 0.1 mA  
¾
1.5  
¾
6.0  
¾
¾
¾
th  
D
ïY ï  
fs  
= 3 V, I = 10 mA  
62  
3.5  
14  
5.3  
16  
mS  
W
D
R
I
= 10 mA, V  
= 2.5 V  
GS  
DS (ON)  
D
C
V
V
V
= 3 V, V =0 V, f = 1 MHz  
pF  
pF  
pF  
iss  
rss  
oss  
DS  
DS  
DS  
GS  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
C
= 3 V, V =0 V, f = 1 MHz  
GS  
C
= 3 V, V =0 V, f = 1 MHz  
GS  
V
V
= 3 V, I = 10 mA,  
DD  
GS  
D
t
¾
¾
0.28  
0.34  
¾
¾
on  
off  
= 0 to 2.5 V  
Switching time  
ms  
V
V
= 3 V, I = 10 mA,  
DD  
GS  
D
t
= 0 to 2.5 V  
1
2002-01-16  
123456

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