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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1D02FU | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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| HN1D02FU_07 | TOSHIBA |
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Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
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| HN1D02FUTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D02FUTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D02FUTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D03F | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra High Speed Switching Application |
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| HN1D03F(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE AND COMMON ANODE ARRAY,TSOP |
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| HN1D03FTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D03FTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D03FU | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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