5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.39 |
| 配置： | 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 反向测试电压： | 80 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1D01FTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D01FU | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| HN1D01FU(T5LN-CN,F | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 4 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon |
|
| HN1D01FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
|
| HN1D01FUTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D01FUTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D01FUTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D02F | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| HN1D02F(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
|
| HN1D02F_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra-High-Speed Switching Applications |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
