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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 配置： | 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 反向测试电压： | 80 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1D01FUTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D02F | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| HN1D02F(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
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| HN1D02F_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra-High-Speed Switching Applications |
|
| HN1D02FE | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
|
| HN1D02FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
|
| HN1D02FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
|
| HN1D02FTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D02FU | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| HN1D02FU_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
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