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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.39 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 配置： | 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 反向测试电压： | 80 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1D01FUTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D01FUTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| HN1D02F | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| HN1D02F(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
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| HN1D02F_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultra-High-Speed Switching Applications |
|
| HN1D02FE | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application |
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| HN1D02FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
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| HN1D02FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
COMMON CATHODE DIODE ARRAY,TSOP |
|
| HN1D02FTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| HN1D02FU | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
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