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HMC635

更新时间： 2024-01-13 20:04:21

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器射频微波驱动
页数	文件大小	规格书
8页	291K
描述
GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz

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HMC635 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.B.2.D
风险等级：	5.65	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	16 dB
最大输入功率 (CW)：	15 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	18000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

HMC635 数据手册

HMC635

v00.1107

GaAs PHEMT MMIC DRIVER

AMPLIFIER, 18 - 40 GHz

Typical Applications

The HMC635 is ideal for:

• Point-to-Point Radios

Features

Gain: 19.5 dB

P1dB: +23 dBm

• Point-to-Multi-Point Radios & VSAT

• LO Driver for Mixers

Output IP3: +29 dBm

Saturated Power: +24 dBm @ 15% PAE

Supply Voltage: +5V @ 280 mA

50 Ohm Matched Input/Output

Die Size: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

• Military & Space

Functional Diagram

General Description

The HMC635 is a GaAs PHEMT MMIC Driver

Ampliﬁer die which operates between 18 and 40 GHz.

The ampliﬁer provides 19.5 dB of gain, +29 dBm

Output IP3, and +23 dBm of output power at 1 dB

gain compression, while requiring 280 mA from a +5V

supply. Ideal as a driver ampliﬁer for microwave radio

applications, or as an LO driver for mixers operating

between 18 and 40 GHz, the HMC635 is capable of

providing up to +24 dBm of saturated output power at

15% PAE. The ampliﬁer’s I/Os are DC blocked and

internally matched to 50 Ohms making it ideal for

integration into Multi-Chip-Modules (MCMs). All data

is taken with die connected at input and output RF

ports via two 1 mil wedge bonds of 500μm length.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd1, 2, 3, 4 = +5V, Idd= 280mA ^[1]

Parameter

Min.

Typ.

18 - 36

19.5

0.045

Max.

Min.

Typ.

36 - 40

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.060

0.045

0.050

dB/ °C

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

dBm

Supply Current (Idd1 + Idd2 + Idd3 + Idd4)

280

[1]Adjust Vgg1 = Vgg2 between -2 to 0V to achieve Idd= 280 mA Typical.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

2 - 58

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC635_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz
HMC6352	HONEYWELL	获取价格	Digital Compass Solution
HMC6352T/R	HONEYWELL	获取价格	Analog Circuit, 1 Func, 6.50 X 6.50 MM, 1.50 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LCC
HMC6352-TR	HONEYWELL	获取价格	2-Axis Compass with Algorithms
HMC635-Die	ADI	获取价格	驱动放大器芯片，18 - 40 GHz
HMC635LC4	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz
HMC635LC4	ADI	获取价格	HMC635LC4
HMC635LC4_10	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz
HMC635LC4TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
HMC635LC4TR	ADI	获取价格	HMC635LC4TR

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