是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TO-243 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.72 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | TO-243 |
电源: | 5 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 表面贴装: | YES |
技术: | GAAS | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HMC636ST89_11 | HITTITE | GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz |
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HMC636ST89E | ADI | High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz |
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HMC636ST89E | HITTITE | GaAs PHEMT HIGH LINEARITY Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz |
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HMC636ST89ETR | HITTITE | Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, GAAS, ROHS COMPLIANT, PLAS |
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HMC636ST89ETR | ADI | High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz |
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HMC636ST89TR | ADI | High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz |
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