生命周期: | Active | 包装说明: | QCCN, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.59 | 模拟集成电路 - 其他类型: | ANALOG CIRCUIT |
JESD-30 代码: | S-XQCC-N24 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 6.5 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QCCN | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 座面最大高度: | 1.67 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 6.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC6352-TR | HONEYWELL |
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2-Axis Compass with Algorithms | |
HMC635-Die | ADI |
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驱动放大器芯片,18 - 40 GHz | |
HMC635LC4 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz | |
HMC635LC4 | ADI |
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HMC635LC4 | |
HMC635LC4_10 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 18 - 40 GHz | |
HMC635LC4TR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS, | |
HMC635LC4TR | ADI |
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HMC635LC4TR | |
HMC636 | ADI |
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高IP3 SMT放大器,0.2 - 4.0 GHz | |
HMC636ST89 | ADI |
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High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz | |
HMC636ST89 | HITTITE |
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GaAs PHEMT HIGH LINEARITY Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz |