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HMC637LP5E

更新时间： 2024-11-21 10:53:59

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	620K
描述
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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HMC637LP5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	12 dB
最大输入功率 (CW)：	25 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	32	最大工作频率：	6000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20	电源：	12 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	480 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

HMC637LP5E 数据手册

HMC637LP5 / 637LP5E

v02.0709

GaAs MESFET MMIC 1 WATT

POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

Typical Applications

Features

Thꢀ HmC637lp5(e) ꢅꢁdꢀbaꢉd pA ꢁꢂ ꢁdꢀaꢈ ꢊꢄꢃ:

• Tꢀꢈꢀcꢄꢆ iꢉꢊꢃaꢂtꢃuctuꢃꢀ

• mꢁcꢃꢄꢅavꢀ radꢁꢄ & VsAT

• mꢁꢈꢁtaꢃy & sꢇacꢀ

p1dB outꢇut pꢄꢅꢀꢃ: +29 dBꢆ

Gaꢁꢉ: 13 dB

outꢇut ip3: +40 dBꢆ

50 ohꢆ matchꢀd iꢉꢇut/outꢇut

32 lꢀad 5x5ꢆꢆ lꢀad smT packagꢀ: 25ꢆꢆ²

• Tꢀꢂt iꢉꢂtꢃuꢆꢀꢉtatꢁꢄꢉ

• fꢁbꢀꢃ oꢇtꢁcꢂ

Functional Diagram

General Description

Thꢀ HmC637lp5(e) ꢁꢂ a GaAꢂ mmiC mesfeT

Dꢁꢂtꢃꢁbutꢀd pꢄꢅꢀꢃ Aꢆꢇꢈꢁﬁꢀꢃ ꢅhꢁch ꢄꢇꢀꢃatꢀꢂ bꢀt-

ꢅꢀꢀꢉ DC aꢉd 6 GHz. Thꢀ aꢆꢇꢈꢁﬁꢀꢃ ꢇꢃꢄvꢁdꢀꢂ 13 dB

ꢄꢊ gaꢁꢉ, +40 dBꢆ ꢄutꢇut ip3 aꢉd +29 dBꢆ ꢄꢊ ꢄutꢇut

ꢇꢄꢅꢀꢃ at 1 dB gaꢁꢉ cꢄꢆꢇꢃꢀꢂꢂꢁꢄꢉ ꢅhꢁꢈꢀ ꢃꢀquꢁꢃꢁꢉg 400

ꢆA ꢊꢃꢄꢆ a +12V ꢂuꢇꢇꢈy. Gaꢁꢉ ﬂatꢉꢀꢂꢂ ꢁꢂ ꢀxcꢀꢈꢈꢀꢉt at

0.75 dB ꢊꢃꢄꢆ DC - 6 GHz ꢆakꢁꢉg thꢀ HmC637lp5(e)

ꢁdꢀaꢈ ꢊꢄꢃ ew, eCm, radaꢃ aꢉd tꢀꢂt ꢀquꢁꢇꢆꢀꢉt

aꢇꢇꢈꢁcatꢁꢄꢉꢂ. Thꢀ HmC637lp5(e) aꢆꢇꢈꢁﬁꢀꢃ i/oꢂ

aꢃꢀ ꢁꢉtꢀꢃꢉaꢈꢈy ꢆatchꢀd tꢄ 50 ohꢆꢂ aꢉd thꢀ 5x5 ꢆꢆ

Qfn ꢇackagꢀ ꢁꢂ cꢄꢆꢇatꢁbꢈꢀ ꢅꢁth hꢁgh vꢄꢈuꢆꢀ smT

aꢂꢂꢀꢆbꢈy ꢀquꢁꢇꢆꢀꢉt.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd= +12V, Vgg2= +5V, Idd= 400 mA*

paꢃaꢆꢀtꢀꢃ

mꢁꢉ.

Tyꢇ.

DC - 6

max.

Uꢉꢁtꢂ

GHz

fꢃꢀquꢀꢉcy raꢉgꢀ

Gaꢁꢉ

Gaꢁꢉ fꢈatꢉꢀꢂꢂ

0.75

0.025

Gaꢁꢉ Vaꢃꢁatꢁꢄꢉ ovꢀꢃ Tꢀꢆꢇꢀꢃatuꢃꢀ

iꢉꢇut rꢀtuꢃꢉ lꢄꢂꢂ

dB/ °C

outꢇut rꢀtuꢃꢉ lꢄꢂꢂ

outꢇut pꢄꢅꢀꢃ ꢊꢄꢃ 1 dB Cꢄꢆꢇꢃꢀꢂꢂꢁꢄꢉ (p1dB)

satuꢃatꢀd outꢇut pꢄꢅꢀꢃ (pꢂat)

outꢇut Thꢁꢃd oꢃdꢀꢃ iꢉtꢀꢃcꢀꢇt (ip3)

nꢄꢁꢂꢀ fꢁguꢃꢀ

dBꢆ

29.5

suꢇꢇꢈy Cuꢃꢃꢀꢉt (idd)

320

400

480

ꢆA

* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 400 mA typical.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

9 - 1

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与HMC637LP5E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC637LP5ETR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC6380	ADI	获取价格	宽带 MMIC VCO，带有缓冲放大器 8.0 - 16.0 GHz
HMC639	ADI	获取价格	高IP3、低噪声放大器，0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, 3 PIN
HMC639ST89E	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, 3
HMC639ST89E	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89ETR	ADI	获取价格	High IP3, Low Noise Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC639ST89TR	ADI	获取价格	200MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, PLASTIC, SOT-89, SMT, 3 PIN
HMC641	HITTITE	获取价格	GaAs MMIC SP4T NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 18 GHz
HMC641A	ADI	获取价格	HMC641A

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