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HMC637LP5E PDF预览

HMC637LP5E

更新时间： 2024-01-07 15:56:33
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 620K
描述
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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HMC637LP5E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LCC32,.2SQ,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：32
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC32,.2SQ,20
电源：12 V射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：480 mA
表面贴装：YES技术：GAAS
Base Number Matches：1

HMC637LP5E 数据手册

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HMC637LP5 / 637LP5E  
v02.0709  
GaAs MESFET MMIC 1 WATT  
POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz  
Typical Applications  
Features  
Thꢀ HmC637lp5(e) ꢅꢁdꢀbaꢉd pA ꢁꢂ ꢁdꢀaꢈ ꢊꢄꢃ:  
• Tꢀꢈꢀcꢄꢆ iꢉꢊꢃaꢂtꢃuctuꢃꢀ  
• mꢁcꢃꢄꢅavꢀ radꢁꢄ & VsAT  
• mꢁꢈꢁtaꢃy & sꢇacꢀ  
p1dB outꢇut pꢄꢅꢀꢃ: +29 dBꢆ  
Gaꢁꢉ: 13 dB  
outꢇut ip3: +40 dBꢆ  
50 ohꢆ matchꢀd iꢉꢇut/outꢇut  
32 lꢀad 5x5ꢆꢆ lꢀad smT packagꢀ: 25ꢆꢆ2  
• Tꢀꢂt iꢉꢂtꢃuꢆꢀꢉtatꢁꢄꢉ  
9
• fꢁbꢀꢃ oꢇtꢁcꢂ  
Functional Diagram  
General Description  
Thꢀ HmC637lp5(e) ꢁꢂ a GaAꢂ mmiC mesfeT  
Dꢁꢂtꢃꢁbutꢀd pꢄꢅꢀꢃ Aꢆꢇꢈꢁfiꢀꢃ ꢅhꢁch ꢄꢇꢀꢃatꢀꢂ bꢀt-  
ꢅꢀꢀꢉ DC aꢉd 6 GHz. Thꢀ aꢆꢇꢈꢁfiꢀꢃ ꢇꢃꢄvꢁdꢀꢂ 13 dB  
ꢄꢊ gaꢁꢉ, +40 dBꢆ ꢄutꢇut ip3 aꢉd +29 dBꢆ ꢄꢊ ꢄutꢇut  
ꢇꢄꢅꢀꢃ at 1 dB gaꢁꢉ cꢄꢆꢇꢃꢀꢂꢂꢁꢄꢉ ꢅhꢁꢈꢀ ꢃꢀquꢁꢃꢁꢉg 400  
ꢆA ꢊꢃꢄꢆ a +12V ꢂuꢇꢇꢈy. Gaꢁꢉ flatꢉꢀꢂꢂ ꢁꢂ ꢀxcꢀꢈꢈꢀꢉt at  
0.75 dB ꢊꢃꢄꢆ DC - 6 GHz ꢆakꢁꢉg thꢀ HmC637lp5(e)  
ꢁdꢀaꢈ ꢊꢄꢃ ew, eCm, radaꢃ aꢉd tꢀꢂt ꢀquꢁꢇꢆꢀꢉt  
aꢇꢇꢈꢁcatꢁꢄꢉꢂ. Thꢀ HmC637lp5(e) aꢆꢇꢈꢁfiꢀꢃ i/oꢂ  
aꢃꢀ ꢁꢉtꢀꢃꢉaꢈꢈy ꢆatchꢀd tꢄ 50 ohꢆꢂ aꢉd thꢀ 5x5 ꢆꢆ  
Qfn ꢇackagꢀ ꢁꢂ cꢄꢆꢇatꢁbꢈꢀ ꢅꢁth hꢁgh vꢄꢈuꢆꢀ smT  
aꢂꢂꢀꢆbꢈy ꢀquꢁꢇꢆꢀꢉt.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd= +12V, Vgg2= +5V, Idd= 400 mA*  
paꢃaꢆꢀtꢀꢃ  
mꢁꢉ.  
Tyꢇ.  
DC - 6  
13  
max.  
Uꢉꢁtꢂ  
GHz  
dB  
fꢃꢀquꢀꢉcy raꢉgꢀ  
Gaꢁꢉ  
12  
Gaꢁꢉ fꢈatꢉꢀꢂꢂ  
0.75  
0.025  
12  
dB  
Gaꢁꢉ Vaꢃꢁatꢁꢄꢉ ovꢀꢃ Tꢀꢆꢇꢀꢃatuꢃꢀ  
iꢉꢇut rꢀtuꢃꢉ lꢄꢂꢂ  
dB/ °C  
dB  
outꢇut rꢀtuꢃꢉ lꢄꢂꢂ  
15  
dB  
outꢇut pꢄꢅꢀꢃ ꢊꢄꢃ 1 dB Cꢄꢆꢇꢃꢀꢂꢂꢁꢄꢉ (p1dB)  
satuꢃatꢀd outꢇut pꢄꢅꢀꢃ (pꢂat)  
outꢇut Thꢁꢃd oꢃdꢀꢃ iꢉtꢀꢃcꢀꢇt (ip3)  
nꢄꢁꢂꢀ fꢁguꢃꢀ  
27  
29  
dBꢆ  
dBꢆ  
dBꢆ  
dB  
29.5  
40  
5
suꢇꢇꢈy Cuꢃꢃꢀꢉt (idd)  
320  
400  
480  
ꢆA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 400 mA typical.  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
9 - 1  
12345678

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HMC637LP5ETR HITTITE 暂无描述

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