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HMC636ST89E

更新时间： 2024-11-25 04:16:27

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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6页	231K
描述
GaAs PHEMT HIGH LINEARITY Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz

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HMC636ST89E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-243
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	5 dB
最大输入功率 (CW)：	16 dBm	JESD-609代码：	e2
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	3	最大工作频率：	4000 MHz
最小工作频率：	200 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TO-243	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Matte Tin/Copper (Sn/Cu)	Base Number Matches：	1

HMC636ST89E 数据手册

HMC636ST89 / 636ST89E

v00.1207

GaAs PHEMT HIGH LINEARITY

Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz

Typical Applications

The HMC636ST89(E) is ideal for:

• Cellular / PCS / 3G

Features

Low Noise Figure: 2.2 dB

High P1dB Output Power: +22 dBm

High Output IP3: +40 dBm

Gain: 13 dB

• WiMAX, WiBro, & Fixed Wireless

• CATV & Cable Modem

• Microwave Radio

50 Ohm I/O’s - No External Matching

Industry Standard SOT89 Package

General Description

Functional Diagram

The HMC636ST89(E) is a GaAs PHEMT, High

Linearity, Low Noise, Wideband Gain Block Ampliﬁer

covering 0.2 to 4.0 GHz. Packaged in an industry

standard SOT89, the ampliﬁer can be used as either

a cascadable 50 Ohm gain stage, a PA Pre-Driver, a

Low Noise Ampliﬁer, or a Gain Block with up to +23

dBm output power. This versatile Gain Block Ampliﬁer

is powered from a single +5V supply and requires no

external matching components The internally matched

topology makes this ampliﬁer compatible with virtually

any PCB material or thickness.

Electrical Speciﬁcations, Vs= 5.0 V, T_A= +25° C

Parameter

Frequency Range

Min

Typ.

0.2 - 2.0

Max

0.02

Min.

Typ.

2.0 - 4.0

Max.

0.02

Units

GHz

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.01

dB/ °C

Output Return Loss

Reverse Isolation

dBm

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

dBm

2.5

Supply Current (Icq)

155

Note: Data taken with broadband bias tee on device output.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

6 - 326

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC636ST89ETR	HITTITE	类似代替	Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, GAAS, ROHS COMPLIANT, PLAS

与HMC636ST89E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC636ST89ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 200MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, GAAS, ROHS COMPLIANT, PLAS
HMC636ST89ETR	ADI	获取价格	High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC636ST89TR	ADI	获取价格	High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz
HMC637	HITTITE	获取价格	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
HMC637A	ADI	获取价格	HMC637A
HMC637A-Die	ADI	获取价格	GaAs MMIC 1 W功率放大器，DC - 6 GHz
HMC637ALP5	ADI	获取价格	GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器，0.1 GHz至6 GHz
HMC637ALP5E	ADI	获取价格	HMC637ALP5E
HMC637BPM5E	ADI	获取价格	GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器
HMC637BPM5ETR	ADI	获取价格	HMC637BPM5ETR

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