是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TO-243 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.72 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | TO-243 |
电源: | 5 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 表面贴装: | YES |
技术: | GAAS | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC636ST89 | ADI |
完全替代 ![]() |
High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC637 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
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HMC637A | ADI |
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HMC637A |
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HMC637A-Die | ADI |
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GaAs MMIC 1 W功率放大器,DC - 6 GHz |
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HMC637ALP5 | ADI |
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GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz |
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HMC637ALP5E | ADI |
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HMC637ALP5E |
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HMC637BPM5E | ADI |
获取价格 |
GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器 |
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HMC637BPM5ETR | ADI |
获取价格 |
HMC637BPM5ETR |
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HMC637LP5 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
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HMC637LP5E | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
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HMC637LP5ETR | HITTITE |
获取价格 |
暂无描述 |
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