是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TO-243 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.63 | 其他特性: | LOW NOISE |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 5 dB | 最大输入功率 (CW): | 16 dBm |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大工作频率: | 4000 MHz |
最小工作频率: | 200 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | TO-243 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER | 子类别: | RF/Microwave Amplifiers |
表面贴装: | YES | 技术: | GAAS |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC636ST89E | HITTITE |
类似代替 |
GaAs PHEMT HIGH LINEARITY Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC636ST89TR | ADI |
获取价格 |
High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz | |
HMC637 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz | |
HMC637A | ADI |
获取价格 |
HMC637A | |
HMC637A-Die | ADI |
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GaAs MMIC 1 W功率放大器,DC - 6 GHz | |
HMC637ALP5 | ADI |
获取价格 |
GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz | |
HMC637ALP5E | ADI |
获取价格 |
HMC637ALP5E | |
HMC637BPM5E | ADI |
获取价格 |
GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器 | |
HMC637BPM5ETR | ADI |
获取价格 |
HMC637BPM5ETR | |
HMC637LP5 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz | |
HMC637LP5E | HITTITE |
获取价格 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |