FZT853

更新时间： 2024-09-15 22:48:51

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZT853 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	3 W	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
VCEsat-Max：	0.34 V	Base Number Matches：	1

FZT853 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

FZT851

FZT853

ISSUE 2 - OCTOBER 1995

FEATURES

Extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)44mΩ at 5A

6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltages

Excellent h_FEcharacteristics specified up to 10 Amps

PARTMARKING DETAILS -

DEVICE TYPE IN FULL

COMPLEMENTARY TYPES - FZT851

FZT853

FZT951

FZT953

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

FZT851

150

FZT853

200

100

UNIT

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum

3 - 260

12 3

中文翻译

下载PDF

与FZT853相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT853Q	SWST	获取价格	功率三极管
FZT853TA	DIODES	获取价格	100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT853TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT855	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR
FZT855	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
FZT855Q	DIODES	获取价格	NPN, 150V, 5A, SOT223
FZT855TA	DIODES	获取价格	150V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT855TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT857	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT857	TYSEMI	获取价格	Up to 3.5 Amps continuous collector current, up to 5 Amp peak, VCEO = 300V